CMTI(kV/us):20kV/us,上升时间(tr):70ns,下降时间(tf):30ns,传播延迟 tpHL:190ns,传播延迟 tpLH:130ns,峰值输出电流:2.5A,工作温度:-40℃~+110℃,正向压降(Vf):1.36V,直流反向耐压(Vr):5V,耗散功率(Pd):295mW,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,隔离电压(Vrms):5000V,驱动侧工作电压:15V~30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 20kV/us | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 传播延迟 tpHL | 190ns | |
| 传播延迟 tpLH | 130ns | |
| 峰值输出电流 | 2.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.36V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 耗散功率(Pd) | 295mW | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V | |
| 驱动侧工作电压 | 15V~30V |