CMTI(kV/us):50kV/us,上升时间(tr):30ns,下降时间(tf):20ns,传播延迟 tpHL:94ns,传播延迟 tpLH:62ns,峰值输出电流:3A,工作温度:-40℃~+110℃,正向压降(Vf):1.3V,正向电流(If):25mA,直流反向耐压(Vr):5V,耗散功率(Pd):295mW,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,隔离电压(Vrms):5000V,驱动侧工作电压:15V~30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 50kV/us | |
| 上升时间(tr) | 30ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 94ns | |
| 传播延迟 tpLH | 62ns | |
| 峰值输出电流 | 3A | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.3V | |
| 正向电流(If) | 25mA | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 耗散功率(Pd) | 295mW | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V | |
| 驱动侧工作电压 | 15V~30V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.81/个 |
| 10+ | ¥1.77/个 |
| 45+ | ¥1.74/个 |
| 90+ | ¥1.72/个 |
| 92+ | ¥1.72/个 |
| 94+ | ¥1.72/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.6008
45 PCS/盘
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