CMTI(kV/us):15kV/us,上升时间(tr):0.1us,下降时间(tf):0.1us,传播延迟 tpHL:0.5us,传播延迟 tpLH:0.5us,峰值输出电流:0.6A,工作温度:-40℃~+100℃,正向压降(Vf):1.8V,直流反向耐压(Vr):5V,耗散功率(Pd):295mW,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,通道数:1,隔离电压(Vrms):3750V,驱动侧工作电压:15V~30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 15kV/us | |
| 上升时间(tr) | 0.1us | |
| 下降时间(tf) | 0.1us | |
| 传播延迟 tpHL | 0.5us | |
| 传播延迟 tpLH | 0.5us | |
| 峰值输出电流 | 0.6A | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.8V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 耗散功率(Pd) | 295mW | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 通道数 | 1 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3750V | |
| 驱动侧工作电压 | 15V~30V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥30.68/个 |
| 10+ | ¥26.42/个 |
| 30+ | ¥23.89/个 |
| 100+ | ¥21.33/个 |
| 500+ | ¥20.15/个 |
| 1000+ | ¥19.62/个 |
整盘
单价
整盘单价¥18.0504
1000 PCS/盘
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