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BCZ120N40M1
扩展库- 品牌名称
- Bestirpower(萃锦半导体)
- 厂家型号
- BCZ120N40M1
- 商品编号
- C47715865
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.008072千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):109nC,栅极电荷量(Qg):109nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):1960pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):60A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输入电容(Ciss) | 1960pF | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥19.26/个 |
| 10+ | ¥16.53/个 |
| 30+ | ¥14.9/个 |
| 90+ | ¥13.26/个 |
| 510+ | ¥12.5/个 |
| 990+ | ¥12.16/个 |
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