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LSD60R180HT
扩展库- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 厂家型号
- LSD60R180HT
- 商品编号
- C483554
- 商品封装
- TO-220F-3
- 商品毛重
- 0.002901千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):17pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.18Ω@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2637pF@25V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.18Ω@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2637pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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