反向传输电容(Crss):1.5pF,导通电阻(RDS(on)):0.28Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):33.2W,输入电容(Ciss):1040pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.28Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1040pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |