温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
LND5N65B
扩展库- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 厂家型号
- LND5N65B
- 商品编号
- C483609
- 商品封装
- TO-220F-3
- 商品毛重
- 0.002762千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):3.5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.1Ω@10V,2.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):14.5nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):730pF@25V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):4V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V,2.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
1.495 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车