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STB31N65M5
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STB31N65M5
- 商品编号
- C500942
- 商品封装
- D2PAK
- 商品毛重
- 0.00157千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4.2pF@100V,导通电阻(RDS(on)):-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@10V,漏源电压(Vdss):-,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1865pF@100V,连续漏极电流(Id):22A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 1865pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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