E3M0075120K-HXY实物图
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E3M0075120K-HXY

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品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号
E3M0075120K-HXY
商品编号
C50346539
商品封装
TO-247-4L
商品毛重
0.00665千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):90mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):53nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):1390pF,输出电容(Coss):58pF,连续漏极电流(Id):32A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V

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属性参数值其他
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)2pF
导通电阻(RDS(on))90mΩ
工作温度-40℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)53nC
漏源电压(Vdss)1200V
耗散功率(Pd)136W
输入电容(Ciss)1390pF
输出电容(Coss)58pF
连续漏极电流(Id)32A
阈值电压(Vgs(th))3.6V

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