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SH8MA4TB1
扩展库- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 厂家型号
- SH8MA4TB1
- 商品编号
- C509787
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.000355千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):125pF,反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):16.5mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15.5nC@10V,栅极电荷量(Qg):19.6nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):640pF,输入电容(Ciss):890pF,输出电容(Coss):110pF,输出电容(Coss):160pF,连续漏极电流(Id):8.5A,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):1V@1mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@1mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
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