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HSK10N06
扩展库- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 厂家型号
- HSK10N06
- 商品编号
- C5128195
- 商品封装
- SOT-89
- 商品毛重
- 0.00015千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):226pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):53nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):3427pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 226pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 3427pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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|---|---|
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| 50+ | ¥0.719/个 |
| 150+ | ¥0.633/个 |
| 1000+ | ¥0.501/个 |
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