反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):20.8W,输入电容(Ciss):572pF,连续漏极电流(Id):28A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.982/个 |
| 50+ | ¥0.781/个 |
| 150+ | ¥0.696/个 |
| 500+ | ¥0.589/个 |
| 3000+ | ¥0.515/个 |
| 6000+ | ¥0.486/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.4738
3000 PCS/盘
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