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N沟道MOSFET
扩展库- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 厂家型号
- RS9N90W
- 商品编号
- C51904676
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.008038千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):32pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@10V,4.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),栅极电荷量(Qg):64nC@15V,漏源电压(Vdss):900V,耗散功率(Pd):329W,输入电容(Ciss):1514pF@25V,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,4.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 输入电容(Ciss) | 1514pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.225/个 |
| 10+ | ¥4.237/个 |
| 30+ | ¥3.743/个 |
| 90+ | ¥3.259/个 |
| 450+ | ¥2.964/个 |
| 900+ | ¥2.812/个 |
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