反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):166mΩ@10V,12.5A,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):85nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):270W,输入电容(Ciss):4650pF@25V,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 40pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 166mΩ@10V,12.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
耗散功率(Pd) | 270W | |
输入电容(Ciss) | 4650pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥8.22/个 |
10+ | ¥6.96/个 |
30+ | ¥5.32/个 |
90+ | ¥4.53/个 |
510+ | ¥4.19/个 |
1020+ | ¥4.03/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.8944
30 PCS/盘
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