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BSS123N H6327
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- BSS123N H6327
- 商品编号
- C534594
- 商品封装
- SOT-23-3
- 商品毛重
- 0.000027千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):3.1pF@25V,导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V,0.19A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.9nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):20.9pF@25V,连续漏极电流(Id):0.19A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,0.19A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 20.9pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.19A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
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