反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):0.1Ω@10V,10A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):35nC,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):3.8W,输入电容(Ciss):620pF,连续漏极电流(Id):19A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 140pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.1Ω@10V,10A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
耗散功率(Pd) | 3.8W | |
输入电容(Ciss) | 620pF | |
连续漏极电流(Id) | 19A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |