反向传输电容(Crss):190pF,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,58A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):180nC,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):5150pF,连续漏极电流(Id):88A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 190pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,58A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 180nC | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 200W | |
输入电容(Ciss) | 5150pF | |
连续漏极电流(Id) | 88A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |