上升时间(tr):46ns,下降时间(tf):45ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.9V~20V,拉电流(IOH):1.5A,灌电流(IOL):1.8A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET、IGBT,输入低电平(VIL):0.8V,输入高电平(VIH):2.7V,驱动通道数:6,驱动配置:三相
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 46ns | |
| 下降时间(tf) | 45ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 4.9V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET、IGBT | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V | |
| 输入高电平(VIH) | 2.7V | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 驱动配置 | 三相 |