反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):100mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):64nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):84pF,连续漏极电流(Id):37A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 64nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 200W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | 84pF | |
连续漏极电流(Id) | 37A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥98.0098/个 |
10+ | ¥95.754/个 |
12+ | ¥95.754/个 |
14+ | ¥95.754/个 |
16+ | ¥95.754/个 |
18+ | ¥95.754/个 |
整盘
单价
整盘单价¥88.09368
30 PCS/盘
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