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GT52N10T

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品牌名称
GOFORD(谷峰)
厂家型号
GT52N10T
商品编号
C581350
商品封装
TO-220
商品毛重
0.0028千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):21pF@50V,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):2273pF,输出电容(Coss):392pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):1V

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)21pF@50V
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
导通电阻(RDS(on))10mΩ@4.5V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
漏源电压(Vdss)100V
类型N沟道
耗散功率(Pd)100W
输入电容(Ciss)2273pF
输出电容(Coss)392pF
连续漏极电流(Id)70A
阈值电压(Vgs(th))1V

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