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SI2369DS-T1-BE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI2369DS-T1-BE3
- 商品编号
- C5917645
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 商品毛重
- 0.000034千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):29mΩ@10V,5.4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):36nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.5W,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):1295pF@15V,连续漏极电流(Id):7.6A,连续漏极电流(Id):5.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V,5.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 1295pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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