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2SJ652-1E
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- 2SJ652-1E
- 商品编号
- C606005
- 商品封装
- TO-220F-3
- 商品毛重
- 0.002612千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):335pF,导通电阻(RDS(on)):38mΩ@10V,14A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):80nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):4360pF,连续漏极电流(Id):28A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 335pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V,14A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | 4360pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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