导通电阻(RDS(on)):17mΩ@58.2A,10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):240nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):446W,输入电容(Ciss):9890pF@400V,连续漏极电流(Id):109A,阈值电压(Vgs(th)):4V@2.91mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@58.2A,10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 446W | |
输入电容(Ciss) | 9890pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 109A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@2.91mA |