导通电阻(RDS(on)):60mΩ@15V,工作温度:-40℃~+175℃,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150W,连续漏极电流(Id):46A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V@4.84mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@15V | |
工作温度 | -40℃~+175℃ | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150W | |
连续漏极电流(Id) | 46A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@4.84mA |