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NTH4L080N120SC1
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTH4L080N120SC1
- 商品编号
- C898275
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.00843千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):6.5pF@800V,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@20V,20A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):1.2kV,耗散功率(Pd):170W,输入电容(Ciss):1670pF@800V,连续漏极电流(Id):29A,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF@800V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@20V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 输入电容(Ciss) | 1670pF@800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
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