导通电阻(RDS(on)):70mΩ@20.6A,10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):100nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):391W,输入电容(Ciss):4750pF@100V,连续漏极电流(Id):53.5A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@1.72mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@20.6A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 391W | |
| 输入电容(Ciss) | 4750pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.72mA |