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S2M0025120K
扩展库- 品牌名称
- SMC(桑德斯)
- 厂家型号
- S2M0025120K
- 商品编号
- C6998522
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.00736千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):34mΩ@20V,50A,导通电阻(RDS(on)):34mΩ,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):130nC@20V,栅极电荷量(Qg):130nC,漏源电压(Vdss):1200V,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):517W,耗散功率(Pd):517W,输入电容(Ciss):4402pF@1000V,输入电容(Ciss):4402pF,输出电容(Coss):257pF,连续漏极电流(Id):63A,连续漏极电流(Id):63A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@20V,50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@20V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 517W | |
| 耗散功率(Pd) | 517W | |
| 输入电容(Ciss) | 4402pF@1000V | |
| 输入电容(Ciss) | 4402pF | |
| 输出电容(Coss) | 257pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥134.7/个 |
| 10+ | ¥130.29/个 |
| 12+ | ¥130.29/个 |
| 14+ | ¥130.29/个 |
| 16+ | ¥130.29/个 |
| 18+ | ¥130.29/个 |
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