反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):18.4mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):145nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):455W,输入电容(Ciss):4580pF,输出电容(Coss):211pF,连续漏极电流(Id):127A,阈值电压(Vgs(th)):4.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 30pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 18.4mΩ | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 145nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 455W | |
输入电容(Ciss) | 4580pF | |
输出电容(Coss) | 211pF | |
连续漏极电流(Id) | 127A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥202.19/个 |
3+ | ¥202.19/个 |
5+ | ¥202.19/个 |
30+ | ¥191.36/个 |
32+ | ¥191.36/个 |
34+ | ¥191.36/个 |
整盘
单价
整盘单价¥191.359
30 PCS/盘