反向传输电容(Crss):16.3pF,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):214nC@18V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):469W,输入电容(Ciss):4410pF,输出电容(Coss):211pF,连续漏极电流(Id):118A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@20mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 16.3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@18V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 214nC@18V | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 469W | |
输入电容(Ciss) | 4410pF | |
输出电容(Coss) | 211pF | |
连续漏极电流(Id) | 118A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@20mA |