导通电阻(RDS(on)):30mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):63nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):2120pF,输出电容(Coss):116pF,连续漏极电流(Id):56A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 输入电容(Ciss) | 2120pF | |
| 输出电容(Coss) | 116pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥75.62/个 |
| 10+ | ¥65.19/个 |
| 30+ | ¥58.83/个 |
| 90+ | ¥53.51/个 |
| 92+ | ¥53.51/个 |
| 94+ | ¥53.51/个 |
整盘
单价
整盘单价¥54.1236
30 PCS/盘
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