反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):74mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):28nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):133W,输入电容(Ciss):930pF,输出电容(Coss):139pF,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 133W | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 输出电容(Coss) | 139pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥38.83/个 |
| 10+ | ¥33.16/个 |
| 30+ | ¥29.7/个 |
| 90+ | ¥26.81/个 |
| 92+ | ¥26.81/个 |
| 94+ | ¥26.81/个 |
整盘
单价
整盘单价¥27.324
30 PCS/盘
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