导通电阻(RDS(on)):180mΩ@5.6A,10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):72W,输入电容(Ciss):1081pF@400V,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):4V@280uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@5.6A,10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 72W | |
输入电容(Ciss) | 1081pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@280uA |