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G3R20MT17K
扩展库- 品牌名称
- GeneSiC Semiconductor
- 厂家型号
- G3R20MT17K
- 商品编号
- C3281098
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):26mΩ@15V,75A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):400nC@15V,漏源电压(Vdss):1700V,耗散功率(Pd):809W,输入电容(Ciss):10187pF@1000V,连续漏极电流(Id):124A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@15V,75A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400nC@15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 耗散功率(Pd) | 809W | |
| 输入电容(Ciss) | 10187pF@1000V | |
| 连续漏极电流(Id) | 124A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
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