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IMZA65R027M1HXKSA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMZA65R027M1HXKSA1
- 商品编号
- C6577897
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):34mΩ@38.3A,18V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63nC@18V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):189W,输入电容(Ciss):2131pF@400V,连续漏极电流(Id):59A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V@11mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@38.3A,18V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@18V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 189W | |
| 输入电容(Ciss) | 2131pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V@11mA |
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