导通电阻(RDS(on)):0.029Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):145nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):305W,输入电容(Ciss):7149pF,输出电容(Coss):106pF,连续漏极电流(Id):69A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@1.79mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.029Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 305W | |
输入电容(Ciss) | 7149pF | |
输出电容(Coss) | 106pF | |
连续漏极电流(Id) | 69A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.79mA |