导通电阻(RDS(on)):790mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):92nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):190W,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 790mΩ@10V,8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥127.34/个 |
| 10+ | ¥121.35/个 |
| 30+ | ¥110.99/个 |
| 90+ | ¥101.94/个 |
| 92+ | ¥101.94/个 |
| 94+ | ¥101.94/个 |
整盘
单价
整盘单价¥102.1108
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