导通电阻(RDS(on)):9Ω@0V,工作温度:-40℃~+110℃,数量:1个N沟道,栅极电压(Vgs):15V,漏源电压(Vdss):400V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.1W,连续漏极电流(Id):300mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@0V | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | 15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.27/个 |
| 10+ | ¥6.13/个 |
| 30+ | ¥6.03/个 |
| 100+ | ¥5.94/个 |
| 102+ | ¥5.94/个 |
| 104+ | ¥5.94/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.4648
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