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DMN2055UW-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN2055UW-13
- 商品编号
- C6832189
- 商品封装
- SOT-323
- 商品毛重
- 0.000015千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):37pF,导通电阻(RDS(on)):46mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):53mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.65W,输入电容(Ciss):400pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):3.1A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.65W | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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