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CMB40N25P
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- CMB40N25P
- 商品编号
- C6939660
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.00174千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.09Ω,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):250V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):160W,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.09Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.05/个 |
| 10+ | ¥4.9/个 |
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| 100+ | ¥3.76/个 |
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