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CMP40N25P
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- CMP40N25P
- 商品编号
- C6939738
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002808千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):0.09Ω,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63nC,漏源电压(Vdss):250V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):160W,输入电容(Ciss):2700pF,输出电容(Coss):325pF,连续漏极电流(Id):40A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.09Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 输入电容(Ciss) | 2700pF | |
| 输出电容(Coss) | 325pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 配置 | 半桥 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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