导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10A,8A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):32.6W,耗散功率(Pd):2.4W,输入电容(Ciss):815pF@15V,连续漏极电流(Id):16A,连续漏极电流(Id):4.4A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10A,8A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.6W | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |