反向传输电容(Crss):88pF@25V,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):83W,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1258pF@25V,连续漏极电流(Id):90A,连续漏极电流(Id):14A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1258pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |