反向传输电容(Crss):33pF@15V,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@4.5V,1.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):382pF@15V,连续漏极电流(Id):4.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 33pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,1.8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 382pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.288/个 |
100+ | ¥0.228/个 |
300+ | ¥0.198/个 |
3000+ | ¥0.174/个 |
6000+ | ¥0.156/个 |
9000+ | ¥0.147/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.16008
3000 PCS/盘
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