导通电阻(RDS(on)):125mΩ@16A,10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):70nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):208W,输入电容(Ciss):2500pF@100V,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@1.1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@16A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 输入电容(Ciss) | 2500pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@1.1mA |