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NP83P06PDG-E1-AY
扩展库- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 厂家型号
- NP83P06PDG-E1-AY
- 商品编号
- C7321230
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001845千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):8.8mΩ@10V,41.5A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):190nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):150W,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):10100pF@10V,连续漏极电流(Id):83A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,41.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 10100pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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