反向传输电容(Crss):90pF@25V,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@5V,10A,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@5V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):105W,输入电容(Ciss):1500pF@25V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@5V,10A | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 输入电容(Ciss) | 1500pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |