上升时间(tr):50ns,下降时间(tf):40ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:6V~20V,拉电流(IOH):1.2A,灌电流(IOL):1.5A,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动通道数:2
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 50ns | |
下降时间(tf) | 40ns | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
工作电压 | 6V~20V | |
拉电流(IOH) | 1.2A | |
灌电流(IOL) | 1.5A | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT | |
驱动通道数 | 2 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.612/个 |
10+ | ¥0.478/个 |
30+ | ¥0.41/个 |
100+ | ¥0.36/个 |
500+ | ¥0.32/个 |
1000+ | ¥0.3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.297
4000 PCS/盘
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