反向传输电容(Crss):68pF,导通电阻(RDS(on)):5.1mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):56nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):3250pF,输出电容(Coss):1290pF,连续漏极电流(Id):140A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 输入电容(Ciss) | 3250pF | |
| 输出电容(Coss) | 1290pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.176/个 |
| 10+ | ¥3.321/个 |
| 30+ | ¥2.889/个 |
| 100+ | ¥2.466/个 |
| 500+ | ¥2.214/个 |
| 800+ | ¥2.079/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.079
800 PCS/盘