反向传输电容(Crss):17pF,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):36nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):254W,输入电容(Ciss):2330pF,输出电容(Coss):316pF,连续漏极电流(Id):99A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 254W | |
| 输入电容(Ciss) | 2330pF | |
| 输出电容(Coss) | 316pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.165/个 |
| 10+ | ¥5.103/个 |
| 30+ | ¥4.518/个 |
| 100+ | ¥3.852/个 |
| 500+ | ¥3.555/个 |
| 800+ | ¥3.429/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.429
800 PCS/盘