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G080P06M
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- G080P06M
- 商品编号
- C7465379
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001686千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):730pF@30V,导通电阻(RDS(on)):6.2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):186nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):294W,输入电容(Ciss):15870pF@30V,连续漏极电流(Id):195A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 730pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 186nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 输入电容(Ciss) | 15870pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.67/个 |
| 10+ | ¥5.4/个 |
| 30+ | ¥4.76/个 |
| 100+ | ¥4.13/个 |
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